9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N6626US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N6626美国参考价格为0.374美元。Microchip Technology JATXV1N6626US包装/规格：DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B。您可以下载JATXV1N6626US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N6625US，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/585系列，它们设计用于散装包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SQ-MELF、a等封装外壳功能，安装类型设计用于通孔，以及D-5A供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供1μA@1100V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.75V@1A的电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为1100V（1.1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为60ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
JATXV1N6625带有用户指南，其中包括1.75V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在1100V（1.1kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于a-PAK的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/585，以及60ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为A，轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1100V时的1μA，电流平均整流Io为1A。
带有电路图的JATXV1N6625U，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@1000V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及SQ-MELF，a封装盒，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为60ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/585系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-5A，直流反向电压Vr最大值为1000V（1kV），正向电压Vf最大值为1.75V@1A。
