9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-50WQ04FNTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-50WQ04FNTRPBF参考价格为0.3744美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-50WQ04FNTRPBF封装/规格：DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK。您可以下载VS-50WQ04FNTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-50WQ04FNTRLPBF是DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK，包括Automotive、AEC-Q101系列，设计用于肖特基整流器产品。包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供零件别名功能，如50WQ04FN TRLPBF，单位重量设计为0.010582盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作TO-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的D-PAK（TO-252AA），配置为单双阳极，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为3mA@40V，电压正向Vf Max If为510mV@5A，电压反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为5.5A，电容Vr F为405pF@5V，1MHz，工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围-40°C，10 A时Vf正向电压为0.63 V，Ir反向电流为3000 uA，如果正向电流为5.5 A，Vrm重复反向电压为40V，Ifsm正向浪涌电流为550A。
带用户指南的VS-50WQ04FNTRL-M3，包括510mV@5A正向电压Vf Max。如果它们设计为在40V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为3mA@40V，电流平均整流Io为5.5A，电容Vr F为405pF@5V，1MHz。
带有电路图的VS-50WQ04FNTR-M3，包括405pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于5.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于3mA@40V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件也可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供汽车AEC-Q101系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为D-PAK（TO-252AA），电压DC反向Vr最大值为40V，电压正向Vf最大值为510mV@5A。
