9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N6628US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N6628美国参考价格为0.266美元。Microchip Technology JATXV1N6628US包装/规格：DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B。您可以下载JATXV1N6628US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N6627US，带有引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/590系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，E的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于D-5B，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@440V，该器件提供1.35V@2A电压正向Vf Max If，该器件具有440V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为1.75A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为40pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
JATXV1N6627带有用户指南，其中包括1.35V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在440V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于快速恢复=20mA（Io）的速度，提供了军用、MIL-PRF-19500/590等系列功能，反向恢复时间trr设计为在30ns内工作，该器件也可用作E，轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@440V，电流平均整流Io为1.75A，电容Vr F为40pF@10V，1MHz。
带有电路图的JATXV1N6627U，包括1.75A电流平均整流Io，它们设计为在2μa@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结区范围为-65°C~150°C，以及SQ-MELF，E封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/590系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-5B，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.35V@2A。
