9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的NS8MTHE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NS8MTHE3/45参考价格$3.62。Vishay General Semiconductor-Diodes Division NS8MTHE3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC。您可以下载NS8MTHE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NS8MT-E3/45是DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC，包括标准回收整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于to-220-2，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.1V@8A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为8A，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-55°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为8 A，最大浪涌电流为125 A。
带有用户指南的NS8KTHE3_A/P，包括1.1V@8A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及管包装，该器件也可用作TO-220-2封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz。
NS8KTHE3/45是DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC，包括8A电流平均整流Io，设计用于在10μa@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在TO-220AC供应商设备包中提供，该设备具有800V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@8A。
