9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-50WQ10FNTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-50WQ10FNTRPBF参考价格为0.572美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-50WQ10FNTRPBF封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK。您可以下载VS-50WQ10FNTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-50WQ10FNTRLPBF是DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK，包括肖特基整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表中显示了用于50WQ10FN TRLPBF的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用D-PAK（TO-252AA）供应商设备包提供，该设备具有单双阳极配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1mA@100V，电压正向Vf Max If为770mV@5A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为5.5A，电容Vr F为183pF@5V，1MHz，工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围-40°C，10 A时Vf正向电压为0.91 V，Ir反向电流为1000 uA，如果正向电流为5.5 A，Vrm重复反向电压为100V，Ifsm正向浪涌电流为330A。
带用户指南的VS-50WQ10FNTRL-M3，包括770mV@5A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，DPak（2引线+接线片），SC-63封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有1mA@100V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为5.5A，电容Vr F为183pF@5V，1MHz。
带有电路图的VS-50WQ10FNTR-M3，包括183pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于5.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1mA@100V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件也可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，设备具有供应商设备包装的D-PAK（TO-252AA），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为770mV@5A。
