9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的NSB8GTHE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSB8GTHE3/45参考价格为0.438美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division NSB8GTHE3/45包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB。您可以下载NSB8GTHE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSB8GT-E3/81是DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB，包括标准回收整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.063493盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电压正向Vf Max If为1.1V@8A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为125 A。
带有用户指南的NSB8DTHE3_A/I，包括1.1V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz。
带有电路图的NSB8DTHE3_A/P，包括55pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μA@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，包装为管交替包装，该设备提供汽车AEC-Q101系列，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@8A。
