9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的NSB8MTHE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSB8MTHE3/45参考价格为0.478美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division NSB8MTHE3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB。您可以下载NSB8MTHE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSB8MT-E3/81是DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB，包括标准回收整流器产品，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.063493盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有二极管类型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.1V@8A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为125 A。
NSB8MT-E3/45是DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为以1.1V@8A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于1000V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.063493盎司，以及to-263AB供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该产品为标准回收整流器，该设备采用管交替包装包装，该设备具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围为-55C，最大浪涌电流为125 A，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@1000V，电流平均整流Io为8A，配置为单双阴极，电容Vr F为55pF@4V，1MHz。
NSB8MT，带有VIS制造的电路图。NSB8MT采用TO-263封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
