9icnet为您提供由SemiQ设计和生产的GP2D006A065C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GP2D006A065C参考价格为0.372美元。SemiQ GP2D006A065C包装/规格：DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2。您可以下载GP2D006A065C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GP2D003A065C，带引脚细节，包括Amp+？系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63的封装盒，该封装盒提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于to-252-2L（DPak）以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作碳化硅肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为200μA@650V，该器件提供1.65V@3A电压正向Vf Max If，该器件具有650V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为158pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带有用户指南的GP2D003A065A，包括1.65V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在650V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220-2的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计为在Amp+？，与管封装一样，该器件也可以用作TO-220-2封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为30μa@650V，电流平均整流Io为3A（DC），电容Vr F为158pF@1V，1MHz。
GP2D005A060A带电路图，包括264pF@1V，1MHz电容Vr F，设计用于15A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr，如数据表注释所示，用于20μa@600V，提供二极管型功能，如碳化硅肖特基，其工作温度结范围为-50°C ~ 175°C，以及Amp+？系列，该设备也可用于无恢复时间>500mA（Io）速度。此外，直流反向电压Vr最大值为600V，该设备提供1.65V@5A正向电压Vf最大值If。
