9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8TQ100-N3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8TQ100-N3参考价格为0.624美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8TQ100-N3封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO220AC。您可以下载VS-8TQ100-N3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-8TQ100GSTRRPBF，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如to-263AA（D2Pak），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了肖特基二极管类型之外，该器件还可以用作280μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为720mV@8A，该器件提供100V电压DC反向Vr Max，该器件具有8A的电流平均整流Io，电容Vr F为500pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
VS-8TQ100GSPBF是DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK，包括720mV@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-263AB（D2PAK）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。包装设计为在管内工作，以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有280μa@100V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为500pF@5V，1MHz。
带有电路图的VS-8TQ100GSTRLPBF，包括500pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于280μa@100V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-263AB（D2PAK），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为720mV@8A。
