9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-HFA04TB60-N3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-HFA04TB60-N3参考价格$2.824。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-HFA04TB60-N3封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC。您可以下载VS-HFA04TB60-N3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-HFA04SD60STRRP是DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK，包括HEXFREDR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于D-PAK（to-252AA），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为3μA@600V，该器件提供1.8V@4A电压正向Vf Max。如果，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，平均整流电流Io为4A，反向恢复时间trr为42ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
VS-HFA04SD60STRPBF是DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK，包括1.8V@4A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于HEXFREDR，该设备还可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为3μa@600V，电流平均整流Io为4A。
带有电路图的VS-HFA04SD60STR-M3，包括4A电流平均整流Io，它们设计为在3μa@600V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片），SC-63包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为42ns，该设备为HEXFREDR系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-PAK（TO-252AA），电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.8V@4A。
