9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N3070，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3070参考价格$6.656。Microchip Technology 1N3070封装/规格：DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7。您可以下载1N3070英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3064_T50R，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@50V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1V@10mA，该器件提供75V电压直流反向Vr Max，该器件具有300mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N3064TR是DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为4ns，除了切割胶带（CT）替代包装外，该器件还可以用作DO-204AH、DO-35轴向包装盒，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件采用通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为300mA，而电容Vr F在0V、1MHz时为2pF。
1N3064是DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于300MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为散装交替包装，设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1V@10mA。
