9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DL4937-13-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DL4937-13-F参考价格为1.36美元。Diodes Incorporated DL4937-13-F包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A MELF。您可以下载DL4937-13-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DL4936-13-F是DIODE GEN PURP 400V 1A MELF，包括DL4936系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.008818盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AB，MELF包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为MELF，该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为200ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为200ns。
DL4936-13是DIODE GEN PURP 400V 1A MELF，包括1.2V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于MELF的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在200ns内运行，该器件也可以用作DO-213AB、MELF封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
DL4937-13是二极管GEN PURP 600V 1A MELF，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该设备也可以用作DO-213AB、MELF包装箱。此外，包装为切割胶带（CT），设备提供200ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为MELF，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A。
