9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的LL4448-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。LL4448-7参考价格为0.4美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division LL4448-7封装/规格：DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80。您可以下载LL4448-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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LL43-GS18是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.001093盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用SOD-80 MiniMELF供应商设备包提供，该设备具有单一配置，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500nA@25V，电压正向Vf Max If为450mV@15mA，电压直流反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为7pF@1V，1MHz，工作温度结范围为125°C（最大值），最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1 V，25 V时Ir反向电流为0.5 uA，如果正向电流为0.2 A，Vrm重复反向电压为30V，Ifsm正向浪涌电流为4A，trr反向恢复时间为5ns。
LL43-GS08是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MINMELF，包括30V Vrm重复反向电压，它们设计为在450mV@15mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了用于30V的电压直流反向Vr Max，其提供了1V等Vf正向电压特性，单位重量设计为在0.001093 oz下工作，以及5 ns trr反向恢复时间，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包装为SOD-80 MiniMELF，该设备以小信号=速度提供，该设备具有5ns的反向恢复时间trr，产品为肖特基二极管，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，其工作温度结范围为-55°C~125°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+125℃，25 V时Ir反向电流为0.5 uA，Ifsm正向浪涌电流为4 A，如果正向电流为0.2 A，二极管类型为肖特基，反向泄漏电流Vr为500nA@25V，平均整流电流Io为200mA，并且配置为Single，电容Vr F为7pF@1V，1MHz。
LL4448-13是DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80，包括4pF@0V、1MHz电容Vr F，设计用于150MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该器件也可以用作DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备以8ns反向恢复时间trr提供，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为小信号=，供应商设备包装为SOD-80 MiniMELF，电压DC反向Vr最大值为75V，电压正向Vf最大值为1V@100mA。
