9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-HFA16TB120-N3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-HFA16TB120-N3参考价格为2.358美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-HFA16TB120-N3封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO220AC。您可以下载VS-HFA16TB120-N3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-HFA16PB120PBF是DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247AC，包括HEXFREDR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供零件别名功能，如HFA16PB120PBB，单位重量设计为0.194007盎司，以及通孔安装样式，该设备也可作为HEXFRED商标使用，其工作温度范围为-55℃至+150℃，该设备采用to-247-2封装盒，该设备具有安装型通孔，供应商设备封装为to-247AC改进型，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为20μA@1200V，电压正向Vf Max If为3V@16A，电压反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为16A，反向恢复时间trr为135ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为3.93 V（32 A），Vr反向电压为1200 V，Ir反向电流为20 uA，If正向电流为16 A，最大浪涌电流为190 A，恢复时间为135 ns。
带用户指南的VS-HFA16PB120-N3，包括3V@16A正向电压Vf Max，如果设计为在1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max下运行，产品名称显示在数据表注释中，用于HEXFRED，提供供应商设备包功能，如to-247AC修改，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下运行，以及汽车AEC-Q101系列，该装置也可用作90ns反向恢复时间trr。此外，包装为管式，装置采用TO-247-2包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为20μA@1200V，电流平均整流Io为16A。
带有电路图的VS-HFA16PB120HN3，包括16A电流平均整流Io，它们设计为在20μa@1200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-247-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为90ns，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为TO-247AC修改，直流反向电压Vr最大值为1200V（1.2kV），正向电压Vf最大值If为3V@16A。
