9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SBLB10L30-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SBLB10L30-E3/45参考价格$0.5。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SBLB10L30-E3/45封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB。您可以下载SBLB10L30-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SBLB10L25-E3/81是DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB，包括肖特基整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB，该设备采用单双阴极配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为800μa@25V，电压正向Vf Max If为460mV@10A，电压直流反向Vr Max为25V，电流平均整流Io为10A，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，20 A时Vf正向电压为0.55 V，Ir反向电流为800 uA，如果正向电流为10 A，Vrm重复反向电压为25 V，Ifsm正向浪涌电流为240 A。
SBLB10L25HE3/81是DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB，包括25 V Vrm重复反向电压，它们设计为在10A正向电压Vf Max下工作460mV。如果数据表注释中显示了用于25V的直流反向电压Vr Max，该电压提供了20 a时0.55 V的正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及Si技术，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件为肖特基整流器产品，该器件具有封装带和卷轴（TR），封装盒为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为800 uA，Ifsm正向浪涌电流为240 A，如果正向电流为10 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为800μA@25V，电流平均整流Io为10A，配置为单双阴极。
SBLB10L25，带有VISHAY制造的电路图。SBLB10L25采用TO220封装，是二极管、整流器-单个的一部分。
