9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N3912，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N3912参考价格为0.358美元。Microchip Technology JATX1N3912包装/规格：DIODE GEN PURP 300V 50A DO203AB。您可以下载JANTX1N3912英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N3910A是DIODE GEN PURP 100V 50A DO203AB，包括军用MIL-PRF-19500/308系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-203AB、DO-5、螺柱的包装盒，提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，供应商设备包设计用于DO-203A B（DO-5），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为15μA@100V，器件提供1.4V@50A电压正向Vf Max。如果，器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为50A，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
JATX1N3911是DIODE GEN PURP 200V 50A DO203AB，包括1.4V@50A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-203AB（DO-5）的供应商设备包，该DO-203AA（DO-5）提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，以及200ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度结范围为-65°C~150°C，设备具有底座、螺柱安装式安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为15μa@200V，电流平均整流Io为50A。
JATX1N3911R是DIODE GEN PURP 200V 50A DO203AB，包括50A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作15μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及DO-203AB、DO-5，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为150ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/308系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为DO-203AB（DO-5），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.4V@50A。
