9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N4153-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N4153-1参考价格为0.652美元。Microchip Technology JATXV1N4153-1包装/规格：DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35。您可以下载JATXV1N4153-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N4148UR-1是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA，包括军用MIL-PRF-19500/116系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-213AA，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-213A，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，器件提供1.2V@100mA电压正向Vf Max。如果，器件具有75V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为20ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATXV1N4150UR-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA，包括1V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-213AA中使用的供应商设备包，该DO-213AB提供速度特性，如小信号=，系列设计用于军用，MIL-PRF-19500/231，以及4ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-213AA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为200mA（DC）。
JATXV1N4150-1是DIODE ZENER 200V 500MW DO35，包括100nA@50V电流反向泄漏Vr，设计用于通孔安装型，其工作温度范围为-65°C~175°C，提供DO-204AH、DO-35、轴向等封装外壳功能，该装置也可以用作军用MIL-PRF-19500/231系列。此外，供应商设备包为DO-35，该设备提供1V@200mA正向电压Vf Max，如果该设备具有200V电压齐纳标称Vz。
