9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N4153UR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N4153UR-1参考价格为0.388美元。Microchip Technology JATX1N4153UR-1包装/规格：DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA。您可以下载JATX1N4153UR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATX1N4150-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35，包括军用MIL-PRF-19500/231系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向安装的包装箱，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及小信号=速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，器件提供1V@200mA电压正向Vf Max。如果，器件具有50V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATX1N4150UR-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA，包括1V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于DO-213AA的供应商设备包，该DO-213A提供速度特性，如小信号=，系列设计用于军用，MIL-PRF-19500/231，以及4ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-213AA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为200mA。
JATX1N4153-1是DIODE GEN PURP 50V 150MA DO204AH，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于150MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于50nA@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装是散装的，该设备以4ns反向恢复时间trr提供，该设备具有小信号=速度，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为880mV@20mA。
