9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的US1DHR3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1DHR3G参考价格为0.492美元。台湾半导体公司US1DHR3G封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载US1DHR3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1D是TVS二极管-瞬态电压抑制器1500W 20V 5%UNI TRANSZORB-TVS，包括卷筒包装，它们设计为使用F3零件别名操作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SMD/SMT等终端样式功能，其工作温度范围为-55 C至+150 C，高度为2.5 mm，该装置也可以用作4.6mm长度。此外，宽度为2.83 mm，该设备采用DO-214AC-2封装盒，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，峰值浪涌电流为30 A，工作电压为140 V。
US1CB-13-F，带有DIODES制造的用户指南。US1CB-13-F采用DO-214AA封装，是IC芯片的一部分。
US1C-E3/61T，带有VISHAY制造的电路图。US1C-E3/61T采用DO-214AC封装，是IC芯片的一部分。
