9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的ES1ALHM2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1ALHM2G参考价格为0.372美元。台湾半导体公司ES1ALHM2G封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA。您可以下载ES1ALHM2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ES1AHE3_A/H带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，其工作温度范围为-55 C至+150 C，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@50V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为920mV@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为920 mV，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为15 ns。
带有用户指南的ES1AHE3_A/I，包括920mV@1A正向电压Vf Max，如果它们设计为在50V电压DC反向电压Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
ES1AHE3/61T是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC，包括10pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供25ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为920mV@1A。
