9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的IRD3911，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRD3911参考价格为0.51美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division IRD3911封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 30A DO203AB。您可以下载IRD3911英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRD3910是DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB，包括散装包装，它们设计为与DO-203AB、DO-5、螺柱封装外壳一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于提供DO-203AA等供应商设备封装功能的底盘、螺柱安装，速度设计为快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作80μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.8V@62.8A，该器件提供100V电压直流反向Vr Max，该器件具有30A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为350ns，其工作温度结范围为-40°C ~ 125°C。
IRD3910R是DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB，包括1.8V@62.8A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-203AB，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为350ns，以及散装包装，该设备也可作为DO-203AB、DO-5、螺柱封装外壳使用，其工作温度结范围为-40°C~125°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为80μa@100V，电流平均整流Io为30A。
IRD3909R是DIODE GEN PURP 50V 30A DO203AB，包括30A电流平均整流Io，它们设计为在80μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-40°C~125°C，以及DO-203AB、DO-5，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为350ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-203AB，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.8V@62.8A。
