9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-10WT10FN,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-10WT10FN价格参考$4.28。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-10WT10FN封装/规格:DIODE SCHOTTKY 100V 10A DPAK。您可以下载VS-10WT10FN英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如VS-10WT10FN价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
VS-10WQ045FNTRRPBF是DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK,包括肖特基整流器产品,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于10WQ045FN TRRPBF的零件别名,该产品提供单位重量功能,如0.010582盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及to-252-3,DPAK(2引线+标签),SC-63封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备采用D-PAK(TO-252AA)供应商设备包提供,该设备具有单双阳极配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为1mA@45V,电压正向Vf Max If为630mV@10A,电压反向Vr Max为45V,电流平均整流Io为10A,电容Vr F为760pF@5V,1MHz,工作温度结范围为-40°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-40 C,Vf正向电压为0.63 V,Ir反向电流为1000 uA,如果正向电流为10 A,Vrm重复反向电压为45V,Ifsm正向浪涌电流为400A。
带有用户指南的VS-10WQ045FNTRRHM3,包括630mV@10A正向电压Vf Max,如果设计为在45V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于D-PAK(to-252AA)的供应商设备包,该设备提供速度特性,如小信号=,系列设计用于汽车、AEC-Q101、,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该设备还可以用作TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63包装盒,其工作温度结范围为-40°C~175°C,该设备为表面安装安装型,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为1mA@100V,电流平均整流Io为10mA,电容Vr F为760pF@5V,1MHz。
VS-10WQ045FNTRR-M3,带电路图,包括760pF@5V、1MHz电容Vr F,它们设计用于10mA电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于1mA@100V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-40°C~175°C,该器件也可以用作TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR)交替包装,该设备以小信号=速度提供,该设备具有供应商设备包装的D-PAK(TO-252AA),电压DC反向Vr Max为45V,电压正向Vf Max If为630mV@10A。