9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的S2JHR5G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S2JHR5G参考价格为0.532美元。台湾半导体公司S2JHR5G封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA。您可以下载S2JHR5G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如S2JHR5G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
S2J-E3/5BT是DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA，包括标准回收整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用。数据表注释中显示了用于S2J-E3-52T的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装类型设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为16pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为2000ns。
S2J-E3/52T/SJ，带有VISHAY制造的用户指南。S2J-E3/52T/SJ采用750REEL封装，是IC芯片的一部分。
S2J-E3/61T，带有VISHAY制造的电路图。S2J-E3/61T采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
具有GSI制造的EDA/CAD模型的S2J-G2。S2J-G2采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
