9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的CSA2K-E3/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSA2K-E3/I参考价格为0.752美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division CSA2K-E3/I封装/规格：DIODE GPP 2A 800V DO-214AC SMA。您可以下载CSA2K-E3/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SA2J-E3/5AT是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC，包括SAx系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如SA2J-E3/61T，单位重量设计为0.002258盎司，以及SMD/SMT安装类型，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为3μa@600V，电压正向Vf Max If为1.1V@2A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为11pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为3uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为55A，恢复时间为1500ns。
SA2J-E3/61T是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.1V@2A电压正向Vf Max下运行。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr Max，提供1.1 V等正向电压特性，单位重量设计用于0.002258盎司，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为SAx，该设备提供1.5μs反向恢复时间trr，该设备具有1500 ns的恢复时间，产品为标准恢复整流器，零件别名为SA2J-E3/5AT，包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为55 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为3 uA，If正向电流为2 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为3μA@600V，电流平均整流Io为2A，配置为单，电容Vr F为11pF@4V，1MHz。
带有电路图的SA2J-M3/5AT，包括11pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于3μa@1000V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供1.5μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.1V@2A。
SA2J-M3/61T，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于表面安装安装型，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供二极管型功能，如标准，包装箱设计用于DO-214AC，SMA，与DO-214AC（SMA）供应商设备包一样，该设备也可以用作600V电压DC反向Vr Max，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备在600V电流反向泄漏Vr下提供3μA，该设备具有2A的电流平均整流Io，电容Vr F为11pF@4V，1MHz，反向恢复时间trr为1.5μs，电压正向Vf Max If为1.1V@2A。
