9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的AS3PDHM3/86A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AS3PDHM3/86A参考价格为0.558美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division AS3PDHM3/86A封装/规格：DIODE AVLANCHE 200V 2.1A TO277A。您可以下载AS3PDHM3/86A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AS3BJHM_3_A/I，带有引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表说明中显示了用于DO-214AA、SMB的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214A（SMB），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作雪崩二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为20μA@600V，该器件提供1.05V@3A电压正向Vf Max If，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
AS3BJ-M3/52T是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA，包括1.05V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为1.5μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备也可作为DO-214AA、SMB包装箱使用，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为20μa@600V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
带有电路图的AS3BJ-M3/5BT，包括40pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于20μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供1.5μs反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.05V@3A。
