9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4005GPHE3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4005GPHE3/54参考价格为0.356美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4005GPHE3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL。您可以下载1N4005GPHE3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4005GPEHE3/73是DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于磁带盒（TB）包装，数据表说明中显示了用于DO-204AL、DO-41、轴向安装的包装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-204A L（DO-41），以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，该器件的电压正向Vf Max为1.1V@1A。如果，该器件具有600V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N4005GPE-M3/54，带用户指南，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-204AL（DO-41）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），轴向包装箱，其工作温度范围为-50°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@600V的反向电流泄漏Vr，平均整流电流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4005GPHE3，带有VISHAY制造的电路图。1N4005GPHE3采用DO-41封装，是IC芯片的一部分。
