9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的20ETF08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。20ETF08参考价格$0.5。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 20ETF08封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC。您可以下载20ETF08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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20ETF06STRL是DIODE GEN PURP 600V 20A D2PAK，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供D2PAK等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.3V@20A，该器件提供600V直流反向电压Vr Max，该器件具有20A的平均整流电流Io，反向恢复时间trr为160ns，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
20ETF06STRR是DIODE GEN PURP 600V 20A D2PAK，包括1.3V@20A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该D2PAK提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为160ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@600V，电流平均整流Io为20A。
20ETF06STRRPBF是VISHAY制造的二极管GEN PURP 600V 20A D2PAK。20ETF06STRRPBF提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是二极管、整流器-单个的一部分，并支持二极管GEN PURP 600V 20A D2PAK。
