9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4007GPHE3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4007GPHE3/54参考价格为0.534美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4007GPHE3/54包装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL。您可以下载1N4007GPHE3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4007GPE-M3/54，带销细节，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如DO-204AL（DO-41），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C ~ 150°C。
1N4007GPE-M3/73，带有用户指南，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在1000V（1kV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-204AL（DO-41）中使用的供应商设备包，该DO-204AR提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及DO-204AL、DO-41轴向封装外壳，其工作温度结范围为-50°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@1000V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4007GPHE3/53是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括8pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@1000V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外，包装为磁带盒（TB），该设备以2μs反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-204AL（DO-41），电压直流反向Vr最大值为1000V（1kV），电压正向Vf最大值为1.1V@1A。
