9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-20ETF10SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-20ETF10SPBF参考价格为0.448美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-20ETF10SPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB。您可以下载VS-20ETF10SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-20ETF10PBF是DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于20ETF10PBB，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-2包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220AC，该设备为单配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.3V@20A，电压反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为20A，反向恢复时间trr为160ns，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.31 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为20 A，最大浪涌电流为355A，恢复时间为400ns。
带有用户指南的VS-20ETF10S-M3，包括1.31V@20A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V（1kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263（D2Pak）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为400ns，除了管交替封装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1000V，电流平均整流Io为20A。
带有电路图的VS-20ETF10-M3，包括20A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@1000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为95ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220AC，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.3V@20A。
