9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的20ETF12，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。20ETF12参考价格$4.44。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 20ETF12封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC。您可以下载20ETF12英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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20ETF10STRL是DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供D2PAK等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.31V@20A，该器件提供1000V（1kV）电压直流反向Vr Max，该器件具有20A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为400ns，其工作温度结范围为-40°C~150°C。
20ETF10STRR是DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK，包括1.31V@20A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该D2PAK提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为400ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1000V，电流平均整流Io为20A。
20ETF10S是DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK，包括20A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@1000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装盒，该设备也可用作管包装。此外，反向恢复时间trr为400ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的D2PAK，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.31V@20A。
