9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的20ETS08FP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。20ETS08FP参考价格为0.35美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 20ETS08FP封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 20A TO220FP。您可以下载20ETS08FP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如20ETS08FP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
20ETF12S是DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK，包括管封装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供D2PAK等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作100μA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.31V@20A，该设备提供1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max，该设备具有20A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为400ns，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
20ETS08是DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC，包括1.1V@20A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有100μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为20A。
20ETF12PBF是由IR制造的DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC。20ETF12 PBF提供TO-220-2封装，是二极管、整流器-单体的一部分，并支持DIODE GENPURP 1.2KV20A TO220 AC。
