9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-25ETS10SPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-25ETS10SPBF价格参考1.361美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-25ETS10SPBF封装/规格:DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK。您可以下载VS-25ETS10SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-25ETS08STRRPBF是DIODE RECT 25A 800V D2PAK,包括磁带和卷轴(TR)替代包装包装,它们设计用于to-263-3、D2PAK(2引线+接线片)、to-263AB封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备封装功能,如to-263AA(D2PAK)、,速度设计为在快速恢复=20mA(Io)以及标准二极管类型下工作,该器件也可以用作100μA@800V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1.14V@25A,该设备提供800V电压DC反向电压Vr Max,该设备具有25A的电流平均整流Io,其工作温度结范围为-40°C~150°C。
VS-25ETS08STRR-M3,带有用户指南,包括1.14V@25A正向电压Vf Max。如果设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-263(D2Pak)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能。包装设计为在磁带和卷轴(TR)交替包装以及to-263-3中工作,D2Pak(2引线+接线片),TO-263AB封装盒,其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外,安装类型为表面安装,该器件为标准二极管类型,该器件具有100μa@800V电流反向泄漏Vr,电流平均整流Io为25A。
带有电路图的VS-25ETS10S-M3,包括25A电流平均整流Io,它们设计为在100μa@1000V电流反向泄漏Vr的情况下工作,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供安装类型功能,如表面安装,其工作温度结范围为-40°C~150°C,以及to-263-3、D2Pak(2引线+接线片),TO-263AB包装箱,该设备也可以用作管替代包装包装。此外,速度快速恢复=200mA(Io),该设备在TO-263(D2Pak)供应商设备包中提供,该设备具有1000V(1kV)直流反向电压Vr Max,正向电压Vf Max If为1.14V@25A。