9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-25ETS12SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-25ETS12SPBF参考价格为0.528美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-25ETS12SPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB。您可以下载VS-25ETS12SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-25ETS10STRR-M3，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如to-263（D2Pak），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.14V@25A，该设备提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有25A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为-40°C~150°C。
VS-25ETS10STRRPBF是DIODE RECT 25A 1000V D2PAK，包括1.14V@25A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V（1kV）电压直流反向Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于to-263AB（D2PAK）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有100μa@1000V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为25A。
带有电路图的VS-25ETS12S-M3，包括25A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@1200V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作管替代包装包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在TO-263（D2Pak）供应商设备包中提供，该设备具有1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.14V@25A。
