9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1JHM3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1JHM3/61T参考价格为0.442美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1JHM3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC。您可以下载S1JHM3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如S1JHM3/61T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
S1JFP带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于无恢复时间整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.000363盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，其工作温度范围为-55℃至+150℃，该装置也可用作SOD-123H包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-123HE供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电压正向Vf Max If为1.3V@1.2A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1.2A，反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为18pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为600 V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1.2A，则最大浪涌电流为50A。
带有用户指南的S1JHE，包括1.1V@1A电压正向Vf Max，如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如SOD-323HE中使用的数据表注释所示，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及782ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为2-SMD，扁平引线，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为3pF@4V，1MHz。
S1JHE3/5AT是DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC，包括12pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，设备提供1.8μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
