9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-18TQ045STRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-18TQ045STRRPBF参考价格$6.42336。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-18TQ045STRRPBF封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 18A D2PAK。您可以下载VS-18TQ045STRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-18TQ045STRLPBF是DIODE SCHOTTKY 45V 18A D2PAK，包括肖特基整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作，数据表中显示了用于18TQ045STRPBF的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.048678盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-263-3、D2PAK（2引线+标签）中工作，TO-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，安装类型为表面安装，设备在D2PAK供应商设备包中提供，设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2.5mA@45V，电压正向Vf Max If为600mV@18A，电压直流反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为18A，电容Vr F为1400pF@5V，1MHz，工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为0.6 V，Ir反向电流为2500 uA，如果正向电流为18 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为1800A。
带用户指南的VS-18TQ045STRL-M3，包括600mV@18A正向电压Vf Max。如果设计为在45V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装以及to-263-3中工作，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有2.5mA@35V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为18A，电容Vr F为1400pF@5V，1MHz。
带电路图的VS-18TQ045STRR-M3，包括1400pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于18A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2.5mA@35V，具有肖特基等二极管类型特性，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的D2PAK，电压DC反向Vr Max为45V，电压正向Vf Max If为600mV@18A。
