9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-HFA16TB120STRLP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-HFA16TB120STRLP参考价格为0.404美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-HFA16TB120STRLP封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK。您可以下载VS-HFA16TB120STRLP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-HFA16TB120SPBF是DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK，包括HEXFREDR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于管替代包装，提供零件别名功能，如HFA16TB120SPBF，单位重量设计为0.070548盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作HEXFRED商品名。此外，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的D2Pak，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为20μa@1200V，电压正向Vf Max If为3V@16A，电压DC反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为16A（DC），反向恢复时间trr为135ns，工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，32A时Vf正向电压为3.93 V，Vr反向电压为1200V，Ir反向电流为20uA，如果正向电流为16A，最大浪涌电流为190A，恢复时间为135ns。
带用户指南的VS-HFA16TB120SLHM3，包括3V@16A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263（D2Pak）的供应商设备包，该to-263提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，以及90ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为20μa@1200V，电流平均整流Io为16A。
带有电路图的VS-HFA16TB120SRHM3，包括16A电流平均整流Io，它们设计为在20μa@1200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为90ns，该设备在Automotive、AEC-Q101、HEXFREDR系列中提供，该设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为TO-263（D2Pak），直流反向电压Vr最大值为1200V（1.2kV），正向电压Vf最大值为3V@16A。
