9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-HFA25TB60STRRP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-HFA25TB60STRRP参考价格$0.308。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-HFA25TB60STRRP封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK。您可以下载VS-HFA25TB60STRRP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-HFA25TB60STRLP是DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK，包括HEXFREDR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，该包装提供了HFA25TB60STRLP等零件别名功能，单位重量设计为0.070548盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在D2PAK供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为20μa@600V，电压正向Vf Max If为1.7V@25A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为25A（DC），反向恢复时间trr为75ns，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为20 uA，如果正向电流为25A，最大浪涌电流为225A，恢复时间为75ns。
VS-HFA25TB60STRHM3，带用户指南，包括1.7V@25A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB（D2PAK）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为20μa@600V，电流平均整流Io为25A。
VS-HFA25TB60STLHM3，带电路图，包括600pF@5V、1MHz电容Vr F，设计用于25A电流平均整流Io、电流反向泄漏Vr，如数据表注释所示，用于20μa@600V，提供二极管类型功能，如标准、安装类型设计用于表面安装、，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，包装为备用包装，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB（D2PAK），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.7V@25A。
