9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8EWF02STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8EWF02STRLPBF价格参考1.28美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8EWF02STRLPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 8A DPAK。您可以下载VS-8EWF02STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8EWF02STRL-M3，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如D-PAK（to-252AA），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.2V@8A，该器件提供200V电压DC反向Vr Max，该器件具有8A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-40°C~150°C。
VS-8EWF02SPBF是DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK，包括1.2V@8A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-252（D-Pak）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），DPak（2引线+接线片），SC-63封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有100μa@200V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为8A。
VS-8EWF02S-M3是DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作100μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63包装盒，该设备也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为55ns，设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，设备具有供应商设备包的D-PAK（TO-252AA），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.2V@8A。
