9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的SS35HR7G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS35HR7G参考价格为0.26美元。台湾半导体公司SS35HR7G封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB。您可以下载SS35HR7G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SS35-E3/57T是DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AB，包括SS3x系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如SS35-E3/9AT，单位重量设计为0.010582盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AB、SMC包装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有DO-214AB（SMC）供应商器件封装，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μa@50V，电压正向Vf Max If为750mV@3A，电压反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为3A，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为0.75 V，Ir反向电流为500 uA，如果正向电流为3 A，Vrm重复反向电压为50 V，Ifsm正向浪涌电流为100A。
SS35-E3/9AT是DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AB，包括50V Vrm重复反向电压，它们设计为在750mV@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，该50V提供了0.75 V的正向电压特性，单位重量设计为0.010582盎司，以及Si技术，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为SS3x系列，该设备具有肖特基整流器产品，零件别名为SS35-E3/57T，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为500 uA，Ifsm正向浪涌电流为100 A，如果正向电流为3 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μA@50V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
SS35H-20170，电路图由KEMET NEC Tokin制造。是共模扼流圈的一部分，支持共模滤波器/扼流圈2amp 17mH、17mH@1kHz 2线共模扼流线圈通孔2A DCR 280 mOhm、共模扼流器双17mH 1kHz 280mOhm DCR通孔。
