9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-30WQ03FNTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-30WQ03FNTRPBF参考价格为0.504美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-30WQ03FNTRPBF封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 3.5A DPAK。您可以下载VS-30WQ03FNTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-30WQ03FNTRLPBF是DIODE SCHOTTKY 30V 3.5A DPAK，包括肖特基整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于30WQ03FN TRLPBF的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3，DPAK（2引线+标签），SC-63封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用D-PAK（TO-252AA）供应商设备包提供，该设备具有单双阳极配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2mA@30V，电压正向Vf Max If为450mV@3A，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为3.5A，电容Vr F为290pF@5V，1MHz，工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围-40°C，6 A时Vf正向电压为0.52 V，Ir反向电流为2000 uA，如果正向电流为3.5 A，Vrm重复反向电压为30V，Ifsm正向浪涌电流为535A。
带用户指南的VS-30WQ03FNTRL-M3，包括450mV@3A电压正向Vf Max。如果设计为在30V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有2mA@30V的反向电流泄漏Vr，平均整流电流Io为3.5A，电容Vr F为290pF@5V，1MHz。
带有电路图的VS-30WQ03FNTR-M3，包括290pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2mA@30V，提供肖特基等二极管型特性，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件也可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的D-PAK（TO-252AA），电压DC反向Vr最大值为30V，电压正向Vf最大值为450mV@3A。
