9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MUR415RLG，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MUR415RLG参考价格0.19000美元。onsemi MUR415RLG包装/规格：DIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD。您可以下载MUR415RLG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MUR415G是二极管GEN PURP 150V 4A轴向，包括SWITCHMODE？系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装类型设计用于通孔，以及DO-201AD，轴向包装箱，该设备也可用作通孔安装类型。此外，供应商设备包是轴向的，该设备以单配置提供，设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电压正向Vf Max If为890mV@4A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为4A，反向恢复时间trr为35ns，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为890 mV，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为4 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为35ns。
MUR415RL是DIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD，包括890mV@4A正向电压Vf Max。如果它们设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性？，以及35ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为4A。
MUR415是DIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD，包括4A电流平均整流Io，它们设计为在150V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-201AD，轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为35ns，设备以SWITCHMODE？系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为DO-201AD，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为890mV@4A。
