9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DB2G32600L1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DB2G32600L1参考价格为0.402美元。松下电子元件DB2G32600L1包装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 1A 0402。您可以下载DB2G32600L1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DB2G32500L1带有引脚细节，包括DB2G系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装，该封装提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于0201（0603公制），以及SiC技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为0201（0603公制），设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为300μa@30V，电压正向Vf Max If为480mV@1A，电压直流反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为10.3ns，电容Vr F为34pF@10V，1MHz，工作温度结范围为150°C（最大），最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为390 mV，Vr反向电压为30 V，Ir反向电流为60 uA，并且If正向电流为1A，Vrm重复反向电压为30V，Ifsm正向浪涌电流为15A，trr反向恢复时间为10.3ns。
DB2G40800L1带有用户指南，包括40 V Vrm重复反向电压，它们设计用于40 V Vr反向电压，正向电压Vf Max If如数据表注释所示，用于460mV@1A，提供电压DC反向电压Vr Max功能，如40V，正向电压设计用于370 mV，以及8.8 ns trr反向恢复时间，该器件也可以用作SiC技术。此外，供应商设备包装为0402（1005公制），设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，设备具有DB2G系列，反向恢复时间trr为8.8ns，产品为肖特基碳化硅二极管，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为0402，它的工作温度结范围为150°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为400 uA，Ifsm正向浪涌电流为15 A，如果正向电流为1 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1200μA@40V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为28pF@10V，1MHz。
DB2G32600L1，带电路图，包括32pF@10V，1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，电流平均整流Io如数据表注释所示，用于1A，提供电流反向泄漏Vr特性，如900μa@30V，二极管类型设计用于肖特基，以及1 a If正向电流，该器件也可以用作15A Ifsm正向浪涌电流。此外，Ir反向电流为200 uA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，工作温度结范围为150°C（最大值），包装箱为0402（1005公制），包装为Digi-ReelR替代包装，产品为肖特基碳化硅二极管，反向恢复时间trr为10ns，系列为DB2G，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商器件封装为0402（1005公制），技术为SiC，反向恢复电压trr为10 ns，Vf正向电压为350mV，电压DC反向Vr Max为30V，电压正向Vf Max If为440mV@1A，Vr反向电压为30V，Vrm重复反向电压为0V。
DB2C-C1AA是SWITCH SNAP SPDT 10A PC MNT 125V，包括SPDT触点形式，它们设计为与焊接引脚终端类型一起工作，开关功能如数据表注释所示，用于on-（OFF）OFF-（on），提供微型等类型功能，系列设计用于DB，以及铜锌触点材料，该装置也可以用作按钮致动器。此外，包装为散装，该设备提供250 V额定电压AC，该设备具有2.5 N的操作力，额定电流为10.1 a。
