9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的RS1JLHRTG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1JLHRTG价格参考1.666美元。台湾半导体公司RS1JLHRTG封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA。您可以下载RS1JLHRTG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RS1JHE3_A/H，带有引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AA（SMA）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，该器件提供1.3V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为7pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的RS1JHE3_A/I，包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及250ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为7pF@4V，1MHz。
RS1JL是1.0 Amp 600 Volt 150ns整流器，包括单一配置，它们设计为在0.8 a下工作。如果数据表注释中显示了用于5 uA的正向电流、Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流设计为在30 a下工作，它的最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为SMA-2，该设备采用卷筒包装，该设备具有零件别名R3，产品为快速恢复整流器，恢复时间为250ns，在1A时Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为600V。
