9icnet为您提供由onsemi设计和生产的DLE30E，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。DLE30E参考价格$6.66000。onsemi DLE30E包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL。您可以下载DLE30E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DLE25PS57具有引脚细节，包括DLE25系列，它们设计用于恒流、电压型、终端类型，如数据表注释所示，用于导线引线，其工作温度范围为-20°C~50°C，功能设计用于OCP、OVP、SCP、，以及3.68英寸长x 2.89英寸宽x 1.29英寸高（93.5毫米x 73.5毫米x 33.0毫米）尺寸尺寸，该设备也可以用作20W功率瓦。此外，输出数量为1，该设备采用AC-DC转换器拓扑结构，该设备的最大电流输出为350mA，电压输出为40~57V，最小电压输入为90VAC，最大电压输入为305VAC，电压隔离为3.75kV（3750V），额定值为IP67，效率为0.78。
DLE30C是DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL，包括980mV@3A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于轴向的供应商设备包，其提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io），反向恢复时间trr设计为35ns，以及散装包装，该器件也可作为DO-201AD轴向封装外壳使用，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电流平均整流Io为3A。
DLE30C-KC9是DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在400V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为150°C（最大值），以及DO-201AD，轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有轴向供应商设备包，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为980mV@3A。
