9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N485B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N485B价格参考1.316美元。Microchip Technology JATX1N485B封装/规格：DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35。您可以下载JATX1N485B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N483B是DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35，包括军用MIL-PRF-19500/118系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向的包装箱，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及小信号=速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为25nA@70V，该器件提供1V@100mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有70V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATX1N4627DUR-1带有用户指南，其中包括6.2V电压齐纳标称Vz，它们设计为在0.001270盎司单位重量下运行，公差显示在数据表注释中，以±1%使用，提供供应商设备包功能，如DO-213AA，系列设计用于军用MIL-PRF-19500/435，以及500mW最大功率，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-213AA（玻璃），其工作温度范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，长度为3.7mm，阻抗最大Zzt为1200欧姆，直径为1.7mm，电流反向泄漏Vr为5μa@5V。
JATX1N4627UR-1是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA，包括5μA@5V电流反向泄漏Vr，它们设计用于直径为1.7 mm的工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于1200欧姆，具有3.7 mm等长度特性，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装样式，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AA（玻璃），装置采用散装包装，装置最大功率为500mW，系列为军用，MIL-PRF-19500/435，供应商装置包装为DO-213A，公差为±5%，单位重量为0.001270盎司，电压齐纳标称Vz为6.2V。
