9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的RS3MHM6G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS3MHM6G参考价格为2.654美元。台湾半导体公司RS3MHM6G封装/规格：DIODE GEN PURP 3A DO214AB。您可以下载RS3MHM6G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RS3KHE3_A/I，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AB、SMC的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214A B、（SMC），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@800V，该器件提供1.3V@2.5A电压正向Vf Max If，该器件具有800V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为34pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
RS3K-M3/57T是DIODE SW 3A 800V 500NS DO-214AB，包括1.3V@2.5A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AA（SMC），提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为500NS，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AB、SMC包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为34pF@4V，1MHz。
RS3K-M3/9AT带电路图，包括34pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作DO-214AB、SMC包装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供500ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-214AB（SMC），电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.3V@2.5A。
RS3M是整流器3.0 Amp 1000 Volt 150ns，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于单配置操作，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如R6，产品设计用于快速恢复整流器，以及DO-214AB-2包装箱，该设备也可以用作500 ns恢复时间。此外，如果正向电流为3A，则该设备提供1000 V Vr反向电压，该设备的最大浪涌电流为100 A，Ir反向电流为10 uA，Vf正向电压为1.3 V，单位重量为0.008289盎司，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C。
