9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N486B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N486B参考价格$4.446。Microchip Technology JATX1N486B包装/规格：DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35。您可以下载JATX1N486B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N485B是DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35，包括军用MIL-PRF-19500/118系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向安装的包装箱，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及小信号=速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为25nA@180V，该器件的电压正向Vf Max为1V@100mA。如果，该器件具有180V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA（DC），其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATX1N483B是DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35，包括1V@100mA正向电压Vf Max。如果设计为在70V电压DC反向电压Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-35，该DO-35提供速度特性，如小信号=，系列设计用于军用MIL-PRF-19500/118，以及散装包装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为25nA@70V，电流平均整流Io为200mA。
JATX1N4627UR-1是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA，包括5μA@5V电流反向泄漏Vr，它们设计用于直径为1.7 mm的工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于1200欧姆，具有3.7 mm等长度特性，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装样式，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AA（玻璃），装置采用散装包装，装置最大功率为500mW，系列为军用，MIL-PRF-19500/435，供应商装置包装为DO-213A，公差为±5%，单位重量为0.001270盎司，电压齐纳标称Vz为6.2V。
