9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N645-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N645-1参考价格为0.474美元。Microchip Technology JATXV1N645-1包装/规格：DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35。您可以下载JATXV1N645-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N6391是DIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AA，包括军用MIL-PRF-19500/553系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-203AA、DO-4、螺柱，提供底盘、螺柱安装等安装类型功能。供应商设备包设计用于DO-203A（DO-4），该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1.5mA@45V，该器件提供680mV@50A电压正向Vf Max。如果，该器件具有45V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为22.5A，电容Vr F为2000pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
JATXV1N6392是DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5，包括510mV@10A正向电压Vf Max。如果设计为在45V直流反向电压Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-203AB（DO-5），提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/554，除了散装包装外，该器件还可以用作DO-203AB、DO-5、螺柱封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件采用底座螺柱安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为2mA@45V，电流平均整流Io为54A，电容Vr F为3000pF@5V，1MHz。
JATXV1N6351US带有电路图，包括2.16 mm高，设计用于4.95 mm长的操作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如B-SQ-MELF-2，封装设计用于散装，以及2.16 mm宽。
