9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N6492，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N6492参考价格为0.432美元。Microchip Technology JATXV1N6492封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 3.6A TO205AF。您可以下载JATXV1N6492英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N649-1是DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35，包括军用MIL-PRF-19500/240系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向安装的包装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr在600V时为50nA，该器件的正向电压Vf Max为1V@400mA。如果该器件的反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为400mA，则其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATXV1N6491US带有用户指南，包括5.6V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.5V@1A电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如D-5A，该系列设计用于军用、MIL-PRF-19500/406以及1.5W功率最大值，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，A，其工作温度范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，阻抗最大Zzt为5欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@2V。
JATXV1N6490US带有电路图，包括1μA@1V电流反向泄漏Vr，它们设计为在7欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计为在SQ-MELF，A以及散装包装中工作，该设备也可以用作1.5W最大功率。此外，该系列为军用MIL-PRF-19500/406，该设备在D-5A供应商设备包中提供，该设备具有±5%的容差，电压正向Vf Max If为1.5V@1A，电压齐纳标称Vz为5.1V。
