9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N6858UR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N6858UR-1参考价格$1.354。Microchip Technology JATXV1N6858UR-1包装/规格：DIODE SCHOTTKY 70V 75MA DO213AA。您可以下载JATXV1N6858UR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATXV1N6843CCU3是DIODE SCHOTTKY 100V 15A U3，包括军用MIL-PRF-19500/681系列，它们设计用于散装包装，数据表说明中显示了用于3-SMD扁平引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于U3，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，该器件提供1.27V@30A电压正向Vf Max If，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为15A，电容Vr F为275pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
JATXV1N6844U3是DIODE GEN PURP 75V 300MA U3，包括1.2V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于U3的供应商设备包，其提供快速恢复=200mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/578，以及20ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为3-SMD，无引线，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，电流平均整流Io为300mA，电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
带有电路图的JATXV1N6845U3，包括800pF@5V、1MHz电容Vr F，设计用于30A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100μa@45V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可以用作3-SMD，无引线封装外壳。此外，包装为散装，该设备为军用MIL-PRF-19500/682系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为U3，直流反向电压Vr Max为45V，正向电压Vf Max If为860mV@40A。
